삼성전자 메모리사업부 이정배 사장 "메모리시장 지속 선도해 나갈 것”

이넷뉴스 = 삼성전자가 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 ‘삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023’을 개최했다. 삼성전자는 초거대 인공지능(AI) 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다.

이번 행사는 ‘메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)’를 주제로 열렸다. 글로벌 정보기술(IT) 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여 명이 참석한 가운데 삼성전자 메모리사업부 이정배 사장, 미주총괄 짐 엘리엇(Jim Elliott) 부사장, 업계 주요 인사 등이 반도체 시장의 트렌드와 주요 제품을 소개했다.

삼성전자는 이날 클라우드(Cloud), 에지 디바이스(Edge Devices), 차량(Automotive) 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 ▲AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 ‘샤인볼트(Shinebolt)’ ▲차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 ‘LPDDR5X CAMM2’ ▲스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’ 등 차별화된 메모리 솔루션을 제시했다.

삼성전자 메모리사업부 이정배 사장은 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것이다. 무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

이정배 사장은 이날 행사에서 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다고 밝혔다.

삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 예정이다.

삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1,000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 말했다.

2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM2를 상용화하며 HBM 시대를 연 삼성전자는 이번에 차세대 HBM3E D램 ‘샤인볼트(Shinebolt)’를 첫 공개했다.

‘샤인볼트’는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다.

삼성전자는 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다고 말했다.

삼성전자는 사용자 기기단에서 고성능·고용량·저전력·작은 폼팩터 등을 지원하는 솔루션도 공개했다.

업계 최초로 개발한 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2(Compression Attached Memory Module)은 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 제품으로 참석자들의 이목을 끌었다.

삼성전자는 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC가 사용할 수 있는 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’도 공개했다.

삼성전자는 초저전력 기술 확보를 통해 데이터센터, PC/모바일 기기 등에서 사용되는 메모리의 전력 소비량을 절감하고, 포터블 SSD 내 재활용 소재 적용 등을 통해 탄소를 저감할 방침이다.

한편, 삼성전자는 지난 19일(현지시간)에는 글로벌 자동차 산업의 메카 유럽(독일 뮌헨)에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’을 개최하고, 최첨단 공정 로드맵과 전장(Automotive) 등 응용처별 파운드리 전략을 공개했다.

이날 삼성전자는 최첨단 2나노 공정부터 8인치 웨이퍼를 활용한 레거시 공정에 이르기까지 다양한 맞춤형 솔루션을 선보였으며, SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너들은 부스 전시를 통해 최신 파운드리 기술 트렌드와 향후 발전 방향을 공유했다.

이넷뉴스 = 임효정 기자 im@enetnews.co.kr